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DHHM-BL支柱絕緣子灰密度測試儀
| 型 號： | |
| 報 價： | 20000 |
DHHM-BL支柱絕緣子灰密度測試儀適用于架空線路、發(fā)電廠、變電所等外絕緣設(shè)備污垢測試，DHHM-H國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀又稱絕緣子灰密測試儀專為測量絕緣子灰密度值而設(shè)計，國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀包含快速過濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測量附件等部分,國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀快速過濾裝置精心設(shè)計指針式人機(jī)交互界面，美觀簡潔；
詳細(xì)資料：
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|
DHHM-BL支柱絕緣子灰密度測試儀
絕緣子灰密測試儀適用于架空線路、發(fā)電廠、變電所等外絕緣設(shè)備污垢測試，DHHM-H國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀又稱絕緣子灰密測試儀專為測量絕緣子灰密度值而設(shè)計，國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀包含快速過濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測量附件等部分,國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀快速過濾裝置精心設(shè)計指針式人機(jī)交互界面，美觀簡潔；絕緣子灰密度測試儀配套的灰密測量分析軟件；絕緣子灰密測試儀采用多抽頭，操作便捷。。
國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀標(biāo)準(zhǔn)及技術(shù)規(guī)范：GB/T5582-1993
DHHM-H國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀又稱絕緣子灰密度測試儀，國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀專為測量絕緣子灰密度值而設(shè)計，國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀的主要功能是測量絕緣子灰密度的值，用戶據(jù)此判斷絕緣子的污穢程度。用戶需要根據(jù)實際情況設(shè)定絕緣子表面積、溶液體積等參數(shù)。國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀遵照多種標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定和要求，國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀適用于高線架空線路、發(fā)電廠、變電所等場所外絕緣設(shè)備的灰密度測試。國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀包含快速過濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測量附件等部分：
1、快速過濾裝置：精心設(shè)計指針式人機(jī)交互界面，美觀簡潔；配套國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀軟件；采用多抽頭，操作便捷。
2、精密電子電平：具有數(shù)字化多點(diǎn)線性修正和多點(diǎn)漂移修正功能。具有多種測量模式供選擇；能開機(jī)自檢、外部校準(zhǔn)、自動屏保；采用全透明密封罩制作，外形美觀，使用方便。
3、恒溫干燥箱：具有溫度自整定、智能控制功能。可保持箱內(nèi)恒溫；工作室采用"冷熱空氣對流"技術(shù)，保證箱內(nèi)空氣自動變換；具有大玻璃示窗、數(shù)碼管顯示，便于觀察和操作；多層擱版，可一次性干燥多個試品。
DHHM-BL支柱絕緣子灰密度測試儀標(biāo)準(zhǔn)
1、Q/GDW152—2006《高壓架空線路和變電站環(huán)境污區(qū)分級及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
2、GB/T16434—200*《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分：定義、信息和一般原則》
3、GB/T4585-2004/IEC60507:1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢實驗》
4、GB/T5582-93《高壓電力設(shè)備外絕緣污穢等級》
5、IEC60815-2004
參數(shù)
| 型號：DHHM-H | |||
| 名稱：國產(chǎn)絕緣子灰密測試儀 | |||
| 灰密度測試儀參數(shù) | 快速過濾裝置 | 精密電子天平 | 恒溫干燥箱 |
| 電源 | AC220V ±10％ 50Hz | AC220V ±10％ 50Hz | AC220V ±10％ 50Hz |
| 功率 | 180W | ≤ 15W | ≤ 600W |
| 測量范圍 | 泵排量：90L/min； 單嘴抽氣率：10L/min | 稱量范圍：0~200g | 控溫范圍：5℃～250℃ |
| 精度 | / | 0.1mg | 1℃ |
| 環(huán)境溫度 | 0～50℃ | 0～50℃ | 0～50℃ |
| 體積 | 400mm×285mm×420mm | 350mm×215mm×340mm | 520mm×320mm×430mm |
| 重量 | 約5Kg | 約6.8Kg | 約20Kg |
術(shù)語解釋
灰密度（NSDD）: 絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物除以表面積，一般表示為mg/ 。
附鹽密度（SDD）：人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上的氯化鈉總量除以表面積，一般表示為mg/ 。
等值附鹽密度（ESDD）：絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，一般表示為mg/ 。
爬電距離：在兩個導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的zui短距離。
統(tǒng)一爬電距離（USCD）：絕緣子的爬電距離L除以試驗電壓與 的積，一般表示為mm/kV。
污穢層: 由鹽和惰性材料組成的絕緣子表面上的導(dǎo)電電解層。
現(xiàn)場污穢度等級：將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS（ESDD/NSDD的zui大值）的分級。
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