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DHHM-BL灰密測試儀
| 型 號： | |
| 報(bào) 價(jià)： | 20000 |
DHHM-BL灰密測試儀適用于高線架空線路、發(fā)電廠、變電所等場所外絕緣設(shè)備污垢測試，DHHM-H國產(chǎn)灰密度測試儀又稱絕緣子灰密測試儀專為測量絕緣子灰密度值而設(shè)計(jì)，包含快速過濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測量附件等部分,快速過濾裝置精心設(shè)計(jì)指針式人機(jī)交互界面，美觀簡潔；絕緣子灰密度測試儀配套的灰密測量分析軟件；絕緣子灰密測試儀采用多抽頭，操作便捷
詳細(xì)資料：
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|
DHHM-BL灰密測試儀
適用于高線架空線路、發(fā)電廠、變電所等場所外絕緣設(shè)備污垢測試，DHHM-H國產(chǎn)灰密度測試儀又稱絕緣子灰密測試儀專為測量絕緣子灰密度值而設(shè)計(jì)，包含快速過濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測量附件等部分,快速過濾裝置精心設(shè)計(jì)指針式人機(jī)交互界面，美觀簡潔；絕緣子灰密度測試儀配套的灰密測量分析軟件；絕緣子灰密測試儀采用多抽頭，操作便捷。。
國產(chǎn)灰密度測試儀標(biāo)準(zhǔn)及技術(shù)規(guī)范：GB/T5582-1993
DHHM-H國產(chǎn)灰密度測試儀又稱絕緣子灰密度測試儀，國產(chǎn)灰密度測試儀專為測量絕緣子灰密度值而設(shè)計(jì)，國產(chǎn)灰密度測試儀的主要功能是測量絕緣子灰密度的值，用戶據(jù)此判斷絕緣子的污穢程度。用戶需要根據(jù)實(shí)際情況設(shè)定絕緣子表面積、溶液體積等參數(shù)。國產(chǎn)灰密度測試儀遵照多種標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定和要求，國產(chǎn)灰密度測試儀適用于高線架空線路、發(fā)電廠、變電所等場所外絕緣設(shè)備的灰密度測試。國產(chǎn)灰密度測試儀包含快速過濾裝置、精密電子天平、恒溫干燥箱和測量附件等部分：
1、快速過濾裝置：精心設(shè)計(jì)指針式人機(jī)交互界面，美觀簡潔；配套國產(chǎn)灰密度測試儀軟件；采用多抽頭，操作便捷。
2、精密電子電平：具有數(shù)字化多點(diǎn)線性修正和多點(diǎn)漂移修正功能。具有多種測量模式供選擇；能開機(jī)自檢、外部校準(zhǔn)、自動屏保；采用全透明密封罩制作，外形美觀，使用方便。
3、恒溫干燥箱：具有溫度自整定、智能控制功能。可保持箱內(nèi)恒溫；工作室采用"冷熱空氣對流"技術(shù)，保證箱內(nèi)空氣自動變換；具有大玻璃示窗、數(shù)碼管顯示，便于觀察和操作；多層擱版，可一次性干燥多個(gè)試品。
DHHM-BL灰密測試儀標(biāo)準(zhǔn)
1、Q/GDW152—2006《高壓架空線路和變電站環(huán)境污區(qū)分級及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
2、GB/T16434—200*《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分：定義、信息和一般原則》
3、GB/T4585-2004/IEC60507:1991《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子的人工污穢實(shí)驗(yàn)》
4、GB/T5582-93《高壓電力設(shè)備外絕緣污穢等級》
5、IEC60815-2004
國產(chǎn)灰密度測試儀參數(shù)
| 型號：DHHM-H | |||
| 名稱：國產(chǎn)灰密度測試儀 | |||
| 灰密度測試儀參數(shù) | 快速過濾裝置 | 精密電子天平 | 恒溫干燥箱 |
| 電源 | AC220V ±10％ 50Hz | AC220V ±10％ 50Hz | AC220V ±10％ 50Hz |
| 功率 | 180W | ≤ 15W | ≤ 600W |
| 測量范圍 | 泵排量：90L/min； 單嘴抽氣率：10L/min | 稱量范圍：0~200g | 控溫范圍：5℃～250℃ |
| 精度 | / | 0.1mg | 1℃ |
| 環(huán)境溫度 | 0～50℃ | 0～50℃ | 0～50℃ |
| 體積 | 400mm×285mm×420mm | 350mm×215mm×340mm | 520mm×320mm×430mm |
| 重量 | 約5Kg | 約6.8Kg | 約20Kg |
術(shù)語解釋
灰密度（NSDD）: 絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物除以表面積，一般表示為mg/ 。
附鹽密度（SDD）：人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上的氯化鈉總量除以表面積，一般表示為mg/ 。
等值附鹽密度（ESDD）：絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，一般表示為mg/ 。
爬電距離：在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的zui短距離。
統(tǒng)一爬電距離（USCD）：絕緣子的爬電距離L除以試驗(yàn)電壓與 的積，一般表示為mm/kV。
污穢層: 由鹽和惰性材料組成的絕緣子表面上的導(dǎo)電電解層。
現(xiàn)場污穢度等級：將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS（ESDD/NSDD的zui大值）的分級。
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